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      漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      700

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      850

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      5

      通道（dào）极（jí）性：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-251-3L(IPAK)/-55~125

      描述：

      650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET



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